L’application de la poudre de carbure de silicium dans la production de tranches de silicium
La production de tranches de silicium consiste à préparer d’abord une base de carbure de silicium . À l’heure actuelle, il est principalement utilisé pour améliorer la méthode Lly, la méthode CVD à haute température et la méthode de solution.
Méthode Lly, également connue sous le nom de méthode de sublimation, son principe de base est le suivant : dans le graphite cylindrique creux (couche externe de graphite, anneau de graphite poreux intégré), la poudre de carbure de silicium de pureté industrielle est investie et l’anneau de graphite poreux est chauffé entre 2500 ° C est décomposé et sublimé à cette température à cette température, produisant une série de substances en phase gazeuse telles que le silicium monocristallin, SI2C et SIC2. En raison du gradient de température entre la paroi interne et l’anneau de graphite poreux, ces phases gazeuses génèrent de manière aléatoire des noyaux cristallins dans la paroi interne de la polychore. Cependant, le taux de propriété de Lly est faible, le noyau cristallin est difficile à contrôler et différentes structures seront formées et la taille est limitée.
Avec l’approfondissement de la recherche, les chercheurs ont proposé d’améliorer la méthode Lely, également connue sous le nom de méthode de transmission physique du gaz (PVT), qui est améliorée sur la base de la méthode Lly. La source SIC pour le transport matériel des germes cristallins peut contrôler le noyau cristallin et les cristaux. Cette méthode peut obtenir des cristaux SIC avec un diamètre plus grand et une densité de déficit d’expansion plus faible. Avec l’amélioration continue de la technologie de croissance, les entreprises qui ont été industrialisées comprennent American Cree, Dowcorning, Ⅱ-ⅵ, SiCRYSTAL en Allemagne, Nipponsteel au Japon, Shandong Tianyue, Tiando Henda en Chine.
Dans la méthode PVT, de nombreux facteurs affectent la synthèse des cristaux SIC. Parmi eux, la poudre de SIC en tant que matière première synthétique affectera directement la qualité de croissance et les propriétés électriques des monocristaux de SIC. Par conséquent, ces dernières années, la préparation de poudre de SIC de haute pureté est progressivement devenue un point chaud de la recherche dans le domaine de la croissance de monocristaux de SIC. À l’heure actuelle, il existe trois principales méthodes de poudre SIC synthétique dans l’industrie : la première est la méthode en phase solide, et la plus représentative de la phase solide est la méthode Acheson et la méthode de synthèse à haute température auto-étalée ; La plus représentative de la loi est la méthode solution-gel et la méthode de décomposition thermique du polymère; la troisième est la méthode en phase gazeuse. La méthode la plus représentative de la méthode en phase gazeuse est la méthode de dépôt chimique en phase gazeuse et la méthode plasma.
