Application du carbure de silicium dans le domaine des semi-conducteurs

Français Application du carbure de silicium dans le domaine des semi-conducteurs
Les nanomatériaux unidimensionnels SiC ont des propriétés exceptionnelles et des perspectives d’application plus larges en raison de leur propre morphologie microscopique et de leur structure cristalline. Ils sont généralement considérés comme un composant important des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite de troisième génération.
Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération sont des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, également appelés matériaux semi-conducteurs haute température, comprenant principalement le carbure de silicium, le nitrure de gallium, le nitrure d’aluminium, l’oxyde de zinc, le diamant, etc. Ce type de matériau présente les caractéristiques d’une large bande interdite, d’une conductivité thermique élevée, d’un champ électrique de claquage élevé, d’une résistance élevée aux radiations, d’un taux de saturation électronique élevé, etc., et convient à la production de dispositifs à haute température, haute fréquence, résistants aux radiations et haute puissance. Grâce à ses excellentes caractéristiques, les matériaux semi-conducteurs de troisième génération ont de très larges perspectives d’application à l’avenir.